Miguel A. Vidal Borbolla

 

Información Personal

 

Dirección:                         Fuente de la Primavera No. 110,

Col. Balcones del Valle

San Luis Potosí, S.L.P.

C.P. 78280

México

Teléfono oficina (4)8250183, particular (4)815-6571

Correo electrónico     mavidal@cactus.iico.uaslp.mx

Esatod Civil:               Casado

Nacionalidad:             Mexicana

Edad:                          43 años

Lugar y fecha

de nacimiento:            Ciudad de México,  25 Marzo de 1958

 

Educación

 

Doctorado:                 Centro de Estudios Avanzados. Departamento de Ingeniería Eléctrica con la tesis, “Estudio Teórico-Experimental del Silicio Amorfo Hidrogenado  Preparado por Pulverización Catódica”, presentada el 15 de Diciembre de 1989.

Maestría:                   Escuela Superior de Física y Matemáticas. Departamento de Física con la tesis, “Estudio del Catalizador Bimetálico FeNi depositado en d-Alumina”, presentado el Noviembre de 1983.

Licenciatura:              Especialidad en Física en la Escuela Superior Física y Matemáticas, de 1979-1982, con la presentación de la tesis “Estudio Biomecánico de Fémur Humano”,  Presentado en Septiembre de 1982.

 

Sistema Nacional de Investigadores: Nivel II

 

Empleos

 

Primer Empelo:        Escuela Superior de Física y Matemáticas, Profesor Investigador, de 1983 a 1989.

Empleo Actual:          Instituto de Investigación en Comunicación Optica de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí. De 1991 a la Fecha. Profesor Investigador Nivel VI.

 

 

 

 

 

Tesis Dirigidas:

 

Doctorado: 5 tesis de Doctorado Dirigidas

1.      Agustín Gudiño Martínez, “Estudio de la fotoluminisencia del InP y GaAs preparado por la Técnica de Chispeo Eléctrico”, Doctorado en Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ingeniería 1998.

2.      Bulmaro Salazar Hernández, “Crecimiento de Películas delgadas de (GaAs)1-x(Ge2)x”, Facultad de Ingeniería UASLP. 1999.

3.      Martha Elena Constantino Gutiérrez, “Estudio de la Interfaces entre ZnSe y GaAs crecidas por epitaxia de haces moleculares”, Doctorado en Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ingeniería 1999.

4.      Enrique Rosendo Andrés, “Crecimiento y Caracterización de Superredes de GaAs/Ge y GaAs/Si obtenidas por erosion catódica”, Doctorado en Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ingeniería 2000.

5.   Angel G.  Rodríguez Vazquez. “Influencia de la Dirección de Crecimiento en la Transición Orden-Desorden en las aleaciones (GaAs)1-x(Ge2)x”, Doctorado en Ciencias Aplicadas, Facultad de Ciencias 2001.

 

Maestría: 7 Tesis de Maestría Dirigidas.

  1.  Mario Enrique Rodríguez García, “Ordenamiento Atómico de   Aleaciones Semiconductoras (III-V)1-x(IV2)x, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1991, Codirigida con el Dr. Alfonso Lastras Martínez
  2. Raúl Eduardo Balderas Navarro, “Estudio de La Inversión del Potencial Superficial en GaAs(100), inducido por Tratamientos Térmicos Mediante la Espectroscopia Anisotropías Opticas”, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1992. Codirigida con el Dr. Alfonso Lastras Martínez..
  3. Francisco Gonzalo Sánchez Almazán, “Dependencia con la Temperatura del ancho de banda fundamental del la aleación CdZnTe para bajas concentraciones de Zinc”, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1992. Codirigida con el Dr. Hugo Navarro Contreras.
  4. Agustín Gudiño Martínez, “Fotoluminisencia en Silicio Poroso Tipo-n obtenido mediante el Método Fotoelectroquímico”,  Facultad de Ciencias de la UASLP. 1993.
  5. Bulmaro Salazar Hernández, “Crecimiento de (GaAs)1-x(Ge2)x por pulverización Catódica y su caracterización”, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1996.
  6. Martín Hernández Sustaita, “Estudio de Propiedades Eléctricas de Películas de GaAs Crecidas Mediante EHM (MBE)”, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1996.
  7. Héctor Ladrón de Guevara “Efectos Estrucrurales de Diferentes capas de amortiguamiento sobre películas delgadas”, Facultad de Ingeniería UASLP 9/2000.

 

 

 

 

 

 

Licenciatura: 13 Tesis de Licenciatura Dirigidas.

1.      Rosa Ma.  Charqueño, "Automatización de un Sistema para la caracterización de Materiales por la tecnica Hall", Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada 08/1993.

2.      Rebeca Vargas Sanabria, "Influencia del Hidrogeno en Algunas Propiedades Opticas del a-Si:H”, Escuela de Ciencias de la Universidad Autónoma del Estado de México, en MEXICO, Presentada 08/1994.

3.      Enrique Rosendo Andrés, "Simulación Monte Carlo de un Sistema de Pulverización Catódica para el crecimiento de GaAs”, Escuela de Ciencias de la Universidad Autónoma del Estado de México, en México, Presentada 08/1994.

4.      Martin Hernandez Sustaita, "Preparación y Caracterización del Silicio Poroso tipo P”, Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada , 12/1994.

5.      Nicolás Zarazua Espinoza, "Automatización en Temperatura de un Sistema de Mediciones Hall", Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada  01/1995.

6.      Flor Naela Ahumada García, "Simulación Mediante el Método de Monte CarloHall", Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada, 01/1995.

7.      Ignacio Ruiz Becerril, "Simulación de un Sistema Magnetrón en el Crecimiento de GaAs, por el Método de Monte Carlo", Escuela de Ciencias de la Universidad Autónoma del Estado de México, en México, Presentada  04/1996.

8.      Marlon Rojas López, “Degradación y Mejoramiento de la Fotoluminiscencia del Silicio Poroso”, Universidad Autónoma del Estado de México,  Presentada 04/1996

9.      Ramón Hernández Cervantes, “Estudio del efecto del exceso de pintura en la fibra óptica de cable tipo TM1”, ”, Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada 05/1996.

10.  Carlos Enrique Dahud Uresti “Instrumentación para u Sistema de Crecimiento MOCVD”, ”, Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada 8/1997

11.  Patricia Puente Alvarado, “Construcción y Calibración de un Medidor de Bruma Atmosférica”, Facultad de Ciencias de la UASLP. 1998.

12.  Sherezada Torres Moreno, “Estudio de las Propiedades ópticas del CdS”, Escuela de Ciencias de la Universidad Autónoma del Estado de México, en México, Presentada  UAEM. 1998.

13.  Omar Vargas Ferro “Comparación de los modelos de espesor crítco en heteroestructuras semiconductoras”, ”, Facultad de Ciencias Universidad Autónoma de San Luis Potosí, S,L.P. Presentada 03/1999.

 

Actualmente dirijo 2 tesis de maestría relacionado con la síntesis de materiales semiconductores basados en aleaciones de GaN y una de Doctorado basado en la síntesis de aleaciones de GeSn

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Proyectos de Investigación Financiados por Conacyt:

 

 

1.              Responsable Científico del Proyecto de Infraestructura “Crecimiento y Caracterización de (GaAs)1-x (Ga2)x y (GaAs): M (M= Mn, Co, Fe, Ni)”. Obtenido por pulverización catódica (sputtering)” aprobado en 1992 No. Proyecto F237, por la cantidad de $250,000 dólares.

2.              Responsable Científico del Proyecto de Investigación “Modulación Hall por un  Láser”, aprobado en 1992, No. De Proyecto D0837, por la cantidad de $181,000,000.00 M. N.

3.              Responsable Científico del Proyecto de Investigación “Crecimiento y Caracterización de GaAs obtenido por pulverización Catódica e impurificado con diferentes impurezas” aprobado en 1994 No. Proyecto 3951E por la cantidad de $113,000.00 M.N.

4.              Responsable Científico del Proyecto de Investigación “Crecimiento de Aleaciones Ternarias Metaestables del Tipo (GaAs)Ge, (ZnSe)Ge, (ZnS)Si  mendiante la Técnica de Pulverización Catódica” aprobado en 1997 No. De Proyecto 25374A por la cantidad de $536,200.00 M.N.”

5.              Responsable Científico del Proyecto de Investigación “Síntesis de Aleaciones Semiconductoras Basadas en Nitruros ” Aprobado en 2000 No. de Proyecto 33134-U por la cantidad de $1,497,300

 

 

Publicaciones: 40 Artículos Publicados en Revistas con Arbitraje (no incluyo aquí artículos en Procceding o Memorias lo cuales he publicado alrededor de 23).

Alrededor de 100 Citas a los Artículos.

1.      M. Rojas-Lopez, J.Nieto-Navarro, E. Rosendo, H.Navarro- Octavio Alvares-F, J. G. Mendoza-Alvarez, F. Sanchez-Sinencio, Saul, Romero M. A. Vidal, "Thermal annealing effects on amorphous radio frequency sputtered Cd0.95Fe0.05Te thin films". Journal Vacuum Science & Technology Vol. A5, pag. 1798-1801 (1987).

2.      G. A. Hirata, M. H. Farías, L. Cota-Araiza, D. H. Galván, R. Asomoza, M. A. Vidal, "Hydrogen detection in hydrogenated amorphous silicon by ion-induced Auger spectroscopy", Journal Vacuum Science Technology Vol. A7, pag. 2625-2627 (1989).

3.      M. A. Vidal, R. Asomoza, "Monte Carlo Simulation of the transport process in the growth of a-Si:H prepared by cathodic reative sputtering", Journal of Applied Physics, Vol. 67, pag. 477-482 (1990).

4.      M. Portilla, A. M. Guzman, M.A. Vidal, Bokhimi, "Oxigen Deficiency in the Ba2Ycu2M9-y with M = W, Mo, Nb, Ta, Sb, Sn Bi or Pb", Progress in High Temperature Sperconductivity, Vol. 26, pag. 169-175 (1990).

5.      R. E. Balderas-Navarro, M. A. Vidal, A. Lastras-Martínez, L. F. Lastras-Martínez, "Surface Potential Inversion of Thermal Annealed GaAs(100) observed by Reflectane-Difference Spectroscopy", Revista Mexican de Física, A5, pag. 1798, 1801 (1994).

6.      M. A. Vidal, G. Ramírez-Flores, H. Navarro-Contreras, A. Lastras-Martínez, R. C. Powel, J. E. Greene. "Refractive indice of zincblende structure b-GaN(001) in subband-gap region (0.7-3.3 eV)", Applied Physics Letters Vol. 68, pag. 441-443 (1996).

7.      F. G. Sánchez-Almazan, H. Navarro-Contreras,G. Ramirez-Flores, M. A. Vidal, O. Zelaya-Angel, M. E. Rodriguez, R.Vaquero. "Temperature Dependence of the Band Gap of Cd1-xZnxTe Alloys of low zinc concentrations", Journal of Applied Physics. Vol. 79, pag. 7713-7717 (1996).

8.      A.Gudiño-Martínez, C. Falcony, C. Vázquez-Lopez, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, "Microstructure of Luminescent Spark-Proceed CdTe,GaSb and InSb", Thin Solid Films, Vol. 281-282, pag. 552-556 (1996).

9.      U. Pal, R. Silva-González, R. Martínez-Montes, G. Gracia-Jiménez, M. A. Vidal, Sh. Torres, "Optical Characterization of Vacuum evaporated cadmium sulfide films", Thin Solid Films Vol. 305, pag. 345-349 (1997).

10.  B. Salázar-Hernández, M. A. Vidal, H. Navarro-Contreras, R. Asomoza, A. Merkulov, "Excitonic Transitions in(GaAs)1-x(Ge2)x/GaAs multilayers grown by magnetron sputtering" Applied Physic Letters Vol. 72, pag. 94-96 (1998).

11.  A.Gudiño-Martínez, E. Rosendo, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, "Luminescence of spark processed porous InP", Thin Solid Films Vol. 322, pag. 282-289 (1998).

12.  R. Asomoza, O. Merkulova, A. Merkulov, M. A. Vidal, B. Salazar-Hernández, "Influence of ion sputtering on the surface topography of GaAs", Applied Surface Science, Vol. 126, pag. 205-212 (1998).

13.  J. Luyo-Alvarado, M. Melélendez-Lira, M. López-López, I. Hernández-Calderón, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, Y. Takagi, K. Samonji, H. Yonesu. "Opitacal and Sturctural characterization of ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with and without buffer layers", Journal of Applied Physics, Vol. 84, pag. 1551-1557 (1998).

14.  M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, G. Ramírez-Flores, M. A. Vidal, A. Lastras-Martínez, I. Hernández-Calderón, O. De Melo, M. López-López, "Observation of Stress Effects on GaAs in the interface of MBE grown ZnSe/GaAs(001) Heterostructures", Applied Surface Science Vol.134, pag. 95-102 (1998).

15.  M. E. Constantino, M. A. Vidal, B. Salázar-Hernandez H. Navarro-Contreras, M. López-López, M. Melélendez-Lira I. Hernández-Calderón, "Dislocation Density in MBE Growth ZnSe Epitaxial Layers on GaAs by HRXRD", Journal of Crystal Growth, Vol. 194, pag. 299-306 (1998).

16.  B. Salazar-Hernandez, M. A. Vidal, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, R. Asomoza and A. Merkulov, "Structural Study of Metastable (GaAs)1-x(Ge2)x thin films grown by r.f. Magnetron sputtering", Journal of Crystal Growth, Vol. 197, pag. 783-788(1999).

17.  B. Salazar-Hernandez, M. A. Vidal, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, "Observation of Zinc-blende to Diamond transition in Metastable(GaAs)1-x(Ge2)x Alloys by Raman Scattering", Solid State Communications Vol. 109, pag. 295-300, (1999).

18.  A.Gudiño-Martínez, E. Rosendo, M. A. Vidal, H. Havarro-Contreras and M. Rojas-López, "Processing of porous GaAs at low frequency sparking", Journal Vacuum Science Technology A, Vol. 17, pag. 624-629, (1999).

19.  A. Lastras-Martinez, R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martinez and M. A. Vidal, "A model for the linear electro optic reflectance-difference spectrum of GaAs (001) around E1 and E1 + D1", Physical Review B Vol. 59, pag. 10234-10239 (1999).

20.  M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, B. Salazar-Hernández, M. A. Vidal, and A. Lastras-Martínez, M. López-López, I. Hernández-Calderón, "Near-Band Optical properties of GaAs at interfaces from MBE grown ZnSe/GaAs/GaAs by phase selection in photoreflectance", Journal Applied Physics Vol. 86, pag. 425-429 (1999).

21.  A.Salazar-Hernández, M. A. Vidal, H. Navarro-Contreras, "Epitaxial Growth of Ge Films on (001) GaAs", Thin Solid Films, Vol. 352, pag. 269-272, (1999).

22.  M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, B. Salazar-Hernández and A. Lastras-Martínez, I. Hernández-Calderón, M. López-López, "Strain in GaAs at the heterointerface of ZnSe/GaAs/GaAs", Journal of Physical D (Applied Phisics) Vol. 32, pag. 1293-1301 (1999).

23.  M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, B. Salazar-Hernández and A. Lastras-Martínez, I. Hernández-Calderón, M. López-López, "Stress in GaAs at the hereointerface of ZnSe/GaAs/GaAs: a possible effect of pit filling and difference in thermal expansion coefficients" Applied Surface Science Vol. 151 (3-4), pag. 271-279 (1999).

24.  M. Rojas-López, M. A. Vidal, H. Navarro-Contreras, J. M. Gracia-Jiménez, E. Gómez, and R. Silva-González "Dependence on the atmosphere of preparation of the luminescence of spark processed porous GaAs", Journal Applied Physics Vol. 87, pag.1-6,(1999).

25.  M. A. Vidal, M. E. Constantino, B. Salazar-Hernndez, H. Navarro-Contreras, M. Lopez-Lopez, and I. Hernndez-Calderón, and H. Yonezu. "Dislocations in MBE Grown ZnSe/GaAs(001) Epitaxial Layers" Diffusion and Defect Forum Vol. 173-174, pag. 31-46 (1999).

26.  A. G. Rodríguez, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, "Long range order-disorder transition in (GaAs)1-x(Ge2)x grown on GaAs(100) and GaAs(111)"  Microelectronics Materials, Vol. 31, pag. 439-441 (2000).

27.  A. G. Rodríguez, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, "Influence of Growth Direction on Order-Disorder Transition in (GaAs)1-x(Ge)2x Semiconductors",  Appl. Phys. Letts. Vol. 77, pag.1-3 (2000).

28.  M. Rojas-López, J. Nieto-Navarro, E. Rosendo, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, “Raman scattering study of photoluminescent spark-processed porous InP”, Thin Solid Films, Vol. 379, pag. 1-6 (2000).

29.  J. Luyo Alvarado, M.A. Santana-Aranda, M. Melendez Lira, M. López-López, V.H. Méndez, M. A. Vidal, H. Yonesu, “Characterization of ZnSe films growth on GaAs substrates with InxGa1-xAs and AlxGa1-xAs buffer layer", Thin Solid Films Vol. 373, pag. 37-40 (2000).

30.  M. Lopez-Lopez, A. Pérez-Centeno, J. Luyo-Alvarado, M. A. Vidal, “Reduction in the crystal defect density of ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy” , Rev.  Mex. Fis. 46 pag.  148-152 (2000).

31.  A. G. Rodríguez, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, “Physical properties of (GaAs)1-x(Ge2)x: Influence of Growth Direction”, Physical Reviw B,  Vol. 63, pag. 115328-115337 (2001).

32.  E. Rosendo, A. G. Rodríguez, H. Havarro-Contreras,  M. A. Vidal, R.Asomoza and Y. Kudiavtsev. “Growth of Strained-Layer GaAs/Ge Superlattices by Magnetron Sputtering: Optical and Structural Characterization”, J. Appl. Phys. Vol.  89, pag. 3209-3214 (2001).

33.  M. Melendez-Lira, M. A. Santana-Aranda, M. López-López, M. Tamura, T. Yodo,and M. A. Vidal, "Effects of the substrate tilting angle on the molecular beam epitaxial growth of GaAs on Si(110)" J. Vac. Sci. Technol. B Vol 19, pag. 1567-1571 (2001).

34.  V. H. Méndez-García, M. López-López, A. Lastras-Martínez, M. A. Vidal, J. Luyo Alvarado, M. Melendez Lira, K. Momose, H. Yonesu., “Study of the cristal quality and Ga-segregation in ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on AlxGa1-xAs and lnxGa1-xAs  buffer layers on GaAs substrate”, J. Crystal Growth Vol.  639-644, pag. 227-228 (2001).

35.  M. Rojas-López, J. M. Gracia-Jiménez, M. A. Vidal H. Navarro-Contreras, R. Silva-González, E. Gómez. "Raman study of photoluminescent spark-processed porous GaAs" J. Vacuum Science and Technology B, Vol. 19, pag. 622-627 (2001).

36.  A.G. Rodríguez, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, “Raman scattering of epitaxially grown (GaAs)1-x(Si2)x alloys on GaAs”, J. Applied Phys. Vol 90, pag. 4977-4980 (2001).

37.  M. E. H Torres, R. Silva-González, H. Navarro-Contreras, M. A. VidalStudy of stoichiometric and non-stoichiometric cadmium selenide thin films”  Mod. Phys. Lett. B. 15 pag. 741-744 (2001).

38.  A.G. Rodriguez, H. Navarro-Contreras and M. A. Vidal, “Influence of growth directions on order-disorder Transitions in (GaAs)1-x(Si2)x alloys” Physical Review B 65, pag. 3308- (2002)

39.  E. Rosendo, A. G. Rodriguez, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, R. Asomoza and Y. Kudiavtsev, “Structural characterization of semi-strained layer in (GaAs)1-x(Si2)x/GaAs multilayers grown by mangetron sputtering ” Aceptado para su publicación en Thin Solid Films (2001).

40.  H. Pérez Ladrón de Guevara,  M. A. Vidal, J. Luyo, Alvarado, M. Meléndez Lira and M. López-López, "Structural study of ZnSe films grown on substrate with GaAs, InxGa(1-x)As and AlxGa(1-x)As buffer layers: strain relaxation and lattice parameter". Aceptado para su publicación en Journal of Physics D: Applied Physics.